******的碳化硅是1891年在美國(guó)發(fā)現(xiàn)的，由于當(dāng)時(shí)人們對(duì)碳化硅不了解，以為是金剛石的混合體。到了1893年，碳化硅開始了工業(yè)生產(chǎn)。碳化硅作為一種新材料，在半導(dǎo)體行業(yè)中也有應(yīng)用。今天，我們就來(lái)為大家介紹下碳化硅的制備方法。
　　無(wú)壓燒結(jié)被認(rèn)為是SiC燒結(jié)***有前途的燒結(jié)方法，通過(guò)無(wú)壓燒結(jié)工藝可以制備出復(fù)雜形狀和大尺寸的SiC部件。根據(jù)燒結(jié)機(jī)理的不同，無(wú)壓燒結(jié)又可分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。對(duì)含有微量SiO2的β-SiC可通過(guò)添加B和C進(jìn)行常壓燒結(jié)，這種方法可明顯改善SiC的燒結(jié)動(dòng)力學(xué)。摻雜適量的B，燒結(jié)過(guò)程中B處于SiC晶界上，部分與SiC形成固溶體，從而降低了SiC的晶界能。摻雜適量的游離C對(duì)固相燒結(jié)有利，因?yàn)镾iC表面通常會(huì)被氧化有少量SiO2生成，加入的適量C有助于使SiC表面上的SiO2膜還原除去，從而增加了表面能。然而#對(duì)液相燒結(jié)會(huì)產(chǎn)生不利影響，因?yàn)镃會(huì)與氧化物添加劑反應(yīng)生成氣體，在陶瓷燒結(jié)體內(nèi)形成大量的開孔，影響致密化進(jìn)程。SiC的燒結(jié)工藝中，原料的純度、細(xì)度、相組成十分重要。S。Proehazka通過(guò)在超細(xì)β-SiC粉體（含氧量小于2%）中同時(shí)加入適量B和C的方法，在2020℃下常壓燒結(jié)成密度高于98%的SiC燒結(jié)體。但SiC-B-C系統(tǒng)屬于固相燒結(jié)的范疇，需要的燒結(jié)溫度較高，并且斷裂韌性較低，斷裂模式為典型的穿晶斷裂，晶粒粗大且均勻性差。國(guó)外對(duì)SiC的研究焦點(diǎn)主要集中于液相燒結(jié)上，即以一定數(shù)量的

　　碳化硅的制備方法還有很多，這里我們?yōu)榇蠹医榻B的是***常用的一種。其他的碳化硅方法有熱壓燒結(jié)和靜壓燒結(jié)等。